Unidad en estado solido Samsung 990 EVO Plus 2TB M.2 2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
SSD SAM 990 EVO+ 2TB M.2 NVME
Velocidad de lectura secuencial de hasta 7250 MB/s, Velocidad de escritura secuencial de hasta 6300 MB/s. Tecnologia de Hardware: Samsung V NAND TLC (V8).
S/659.00
Descripción
| MARCA | SAMSUNG | |
| MODELO | 990 EVO PLUS | |
| NUMERO DE PARTE | MZ-V9S2T0B/AM | |
| CAPACIDAD | 2 TB | |
| INTERFAZ | PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0 PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0 |
|
| VELOCIDAD DE LECTURA | 7250 MB/S | |
| VELOCIDAD DE ESCRITURA | 6300 MB/S | |
| FORMATO | M.2 2280 | |
| TIPO DE CHIP | TIPO CHIP | SAMSUNG V-NAND TLC (V8) |
| CARACTERISTICAS TECNICAS | CONSUMO DE ENERGIA: ACTIVO (LECTURA / ESCRITURA): 4.6W / 4.2W | |
| DATA ENCRYPTION: Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) | ||
| MEMORIA CACHE: HMB (HOST MEMORY BUFFER) | ||
| DIMENSIONES DEL PRODUCTO | (Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.25 x 8.12 CM | |
